Superwytrzymałe ReRAM Samsunga
20 lipca 2011, 15:54Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash
Intel szykuje rynkowy debiut Optane
20 listopada 2015, 11:02W przyszłym roku na rynek trafią pierwsze urządzenia korzystające z nowej intelowskiej technologii Optane. Urządzeniami tymi będą szybkie dyski SSD i układy pamięci DIMM.
Microsoft o HoloLens
27 maja 2016, 10:13Podczas Imec Technology Forum Microsoft zdradził nieco szczegółów na temat budowy HoloLens. Dowiedzieliśmy się, że najważniejszą jednostką urządzenia jest Holographic Processin Unit (HPU). To przedstawiciel coraz bardziej popularnej klasy wyspecjalizowanych akceleratorów
Samsung prezentuje superszybkie układy pamięci
28 czerwca 2006, 09:26Samsung Electronics poinformował o zbudowaniu 2-gigabitowej kości flash OneNAND w technologii 60 nanometrów. Koncern twierdzi, że jest to najbardziej wydajny układ tego typu.
Samsung boi się o swoją pozycję
29 kwietnia 2007, 09:36Samsung, od lat lider rynku układów pamięci, zanotował rekordowo niski poziom sprzedaży. Firma wciąż posiada największe udziały na rynku, ale konkurencja jest niebezpiecznie blisko.
Cold-boot attack: szyfrowanie nie chroni
31 lipca 2008, 14:56Naukowcy z Princeton University dowodzą, że szyfrowanie dysków twardych, które jest powszechnie stosowane do zabezpieczania danych, w pewnych warunkach zupełnie ich nie zabezpiecza. Akademicy zaprezentowali nowy typ ataku, który nazwali "cold-boot attack".
Ile pamięci potrzebuje Vista?
22 lutego 2007, 11:47David Short, konsultant IBM-owskiej Global Services Division uważa, że podane przez Microsoft minimalne wymagania sprzętowe dla Windows Visty są nierealistyczne. Na swoich stronach Microsoft pisze, że do uruchomienia Visty wystarczy 512 megabajtów pamięci RAM.
Napięcie udoskonala MeRAM
17 grudnia 2012, 11:02Inżynierowie z Uniwersytetu Kalifornijskiego w Los Angeles (UCLA) zastąpili przepływ elektronów napięciem elektrycznym i dokonali w ten sposób znacznego udoskonalenia pamięci MeRAM (magnetoelektryczna pamięć o swobodnym dostępie). MeRAM może w przyszłości zastąpić obecnie stosowane technologie pamięci
IBM prezentuje nowy interfejs pamięci dla serwerów
21 sierpnia 2019, 05:23Podczas konferencji Hot Chips IBM zapowiedział nowy interfejs pamięci, który ma zadebiutować wraz z przyszłoroczną wersją procesorów Power 9. Mowa tutaj o Open Memory Interface (OMI). Pozwoli on na upakowanie w serwerze większej ilości pamięci korzystającej do tego z większej przepustowości nić DDR. OMI ma być konkurentem dla Gen-Z oraz intelowskiej CXL.
TSV - lepsze połączenia między chipami
13 kwietnia 2007, 14:08IBM ma zamiar na masową skalę wykorzystywać nową technologię łączenia układów scalonych i ich części. Dzięki temu Błękitny Gigant chce poprawić ich wydajność i jednocześnie zmniejszyć pobór mocy.
