Superwytrzymałe ReRAM Samsunga
20 lipca 2011, 15:54Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash
Intel szykuje rynkowy debiut Optane
20 listopada 2015, 11:02W przyszłym roku na rynek trafią pierwsze urządzenia korzystające z nowej intelowskiej technologii Optane. Urządzeniami tymi będą szybkie dyski SSD i układy pamięci DIMM.
Microsoft o HoloLens
27 maja 2016, 10:13Podczas Imec Technology Forum Microsoft zdradził nieco szczegółów na temat budowy HoloLens. Dowiedzieliśmy się, że najważniejszą jednostką urządzenia jest Holographic Processin Unit (HPU). To przedstawiciel coraz bardziej popularnej klasy wyspecjalizowanych akceleratorów
Samsung prezentuje superszybkie układy pamięci
28 czerwca 2006, 09:26Samsung Electronics poinformował o zbudowaniu 2-gigabitowej kości flash OneNAND w technologii 60 nanometrów. Koncern twierdzi, że jest to najbardziej wydajny układ tego typu.
Jak działa pamięć zewnętrzna? Ciekawostki
8 marca 2024, 14:12Pamięć zewnętrzna pozwala na przechowywanie danych i tworzenie kopii zapasowych na dysku zewnętrznym. To idealny sposób na zabezpieczenie danych i plików na wypadek awarii komputera. Warto wiedzieć, na co zwrócić uwagę przy wyborze pamięci zewnętrznej.
Samsung boi się o swoją pozycję
29 kwietnia 2007, 09:36Samsung, od lat lider rynku układów pamięci, zanotował rekordowo niski poziom sprzedaży. Firma wciąż posiada największe udziały na rynku, ale konkurencja jest niebezpiecznie blisko.
Bezdech senny pozbawia ludzi szczegółów osobistych wspomnień
1 lutego 2019, 14:00Obturacyjny bezdech senny (ang. obstructive sleep apnea, OSA) sprawia, że pacjentom trudniej zapamiętać szczegóły z życia codziennego. Może się to przyczyniać do depresji.
Pierwsze DDR3
19 lutego 2007, 11:21Firma Super Talent poinformowała o wyprodukowaniu prototypowych układów pamięci DDR3. Prawdopodobnie ta współpracująca z Samsungiem firma będzie pierwszym przedsiębiorstwem, które wypuści na rynek DDR3.
Atomowa pamięć z Utah
20 grudnia 2010, 13:14Naukowcy z University of Utah stworzyli najprawdopodobniej najmniejszy w historii układ pamięci. Przez 112 sekund przechowywali dane w jądrze atomu, wykorzystując do tego celu spin. Później odczytali te informacje. Badania takie w przyszłości posłużą do stworzenia szybkich układów pamięci zarówno dla komputerów konwencjonalnych jak i dla maszyn kwantowych.
Cold-boot attack: szyfrowanie nie chroni
31 lipca 2008, 14:56Naukowcy z Princeton University dowodzą, że szyfrowanie dysków twardych, które jest powszechnie stosowane do zabezpieczania danych, w pewnych warunkach zupełnie ich nie zabezpiecza. Akademicy zaprezentowali nowy typ ataku, który nazwali "cold-boot attack".
